| Разработчики: | Toshiba Electronics Europe (TEE) |
| Дата премьеры системы: | 2018/06/13 |
| Отрасли: | Электротехника и микроэлектроника |
Инжекционный транзистор с обогащенным затвором (Injection-Enhanced Gate Transistor, IEGT) представляет собой устройство, управляемое напряжением для переключения больших токов.
2018: Корпус для устройств IEGT
13 июня 2018 года компания Toshiba Electronics Europe представила информацию о корпусе для устройств IEGT (Injection-Enhanced Gate Transistor - Инжекционный транзистор с обогащенным затвором) класса 4,5 кВ в плоском корпусе (PPI). Корпус разработан в целях дальнейшего повышения прочности устройств на разрыв, тем самым снижая вероятность повреждения окружающих компонентов и систем в случае отказа устройства.
Как отметили в компании Toshiba, создание корпуса явилось результатом исследований, проведенных для оценки оптимального объемного соотношения материалов в таких корпусах. Путем экспериментов было определено оптимальное соотношение, при котором не происходит ни разрушение керамических элементов, ни утечка материалов.
По результатам тщательных измерений было показано, что корпус может выдерживать 50 часов в режиме отказа вследствие короткого замыкания (SFCM). Эксперимент проводился с одним короткозамкнутым кристаллом IEGT из 42, расположенным на краю модуля (наиболее неблагоприятная ситуация). Кроме того, испытания прочности на разрыв, проведенные в тестовых условиях при 3200 В, показали в 1,7 раза большую прочность по сравнению со стандартными PPI-устройствами, подчеркнули в Toshiba.
