Разработчики: | Toshiba Electronics Europe (TEE) |
Дата премьеры системы: | 2017/11/21 |
Дата последнего релиза: | 2018/05/11 |
Технологии: | Процессоры |
Содержание |
Toshiba TPH и TPN-серии — линейки МОП-транзисторов.
2018
TPHR7904PB и TPH1R104PB
11 мая 2018 года компания Toshiba Electronics Europe объявила о выпуске двух МОП-транзисторов в миниатюрном корпусе с низким сопротивлением SOP Advance (WF) размерами 5 мм x 6 мм в качестве дополнения серии мощных МОП-транзисторов на 40 В с каналом n-типа для автомобильных устройств. Транзисторы TPHR7904PB и TPH1R104PB сертифицированы в соответствии с требованиями AEC-Q101 и предназначены для различных автомобильных систем, включая электроусилители рулевого управления (ЭУР), переключатели нагрузки, электрические насосы, вентиляторы и т. д.
МОП-транзисторы выпускаются с применением современного технологического процесса формирования канавки девятого поколения U-MOS IX-H в миниатюрном корпусе с низким сопротивлением и обладают низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) до 0,79 мОм (макс. значение при VGS=10 В), тем самым снижая потери проводимости. Устройства имеют номинальное напряжение между стоком и истоком (VDSS) 40 В и могут управлять током стока (ID) до 150 А постоянного тока. Применение технологии U-MOS IX-H также снижает шум при переключении, помогая снизить уровень электромагнитных помех.
В корпусе SOP Advance (WF) используется конструкция выводов со смачиваемой боковой поверхностью, позволяющая автоматически осуществлять визуальный контроль пайки на печатных платах, что является ключевым требованием обеспечения контроля качества в автомобильной промышленности, отметили в Toshiba Electronics Europe.Вручены награды TAdviser IT Prize в 12 номинациях
TPH3R70APL и TPN1200APL
22 февраля 2018 года компания Toshiba Electronics Europe заявила о расширении ассортимента МОП-транзисторов на основе двух устройств на 100 В, дополняющих серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H. Устройства подходят для работы в источниках питания промышленного оборудования, а также в системах управления электродвигателями.
Устройства TPH3R70APL и TPN1200APL изготавливаются с использованием самого современного процесса формирования канавки низковольтных транзисторов U-MOS IX-H, позволяющего оптимизировать структуру элементов, и обладают самым низким в отрасли и классе сопротивлением в открытом состоянии: 3,7 и 11,5 мОм соответственно. Устройства обладают низким выходным зарядом (QOSS: 74 и 24 нКл), низким зарядом переключения затвора (QSW: 21 и 7,5 нКл) и поддерживают управление логическими уровнями 4,5 В.
По сравнению с существующими устройствами на основе технологического процесса U-MOS VIII-H вустройствах удалось снизить ключевые показатели, определяющие качество работы МОП-транзисторов в импульсных схемах, такие как RDS(ON), Qoss и RDS(ON), QSW.
TPH3R70APL выпускается в корпусе SOP Advance размером 5 мм x 6 мм и имеет допустимый ток стока (ID) 90 А.
TPN1200APL выпускается в корпусе TSON Advance размером 3 мм x 3 мм и имеет допустимый ток стока (ID) 40 А.
2017: TPH1R204PB
21 ноября 2017 года компания Toshiba Electronics Europe заявила о расширении ассортимента МОП-транзисторов на основе собственного технологического процесса производства полупроводниковых приборов с вертикальным каналом U-MOS-IX-H. Компания представила компактное устройство на 40 В со встроенным диодом с мягким восстановлением (SRD).
Встроенный диод с мягким восстановлением в составе МОП-транзистора TPH1R204PB позволяет минимизировать импульсные напряжения, возникающие между стоком и истоком при переключении. Такой МОП-транзистор подходит для работы в синхронных выпрямителях на стороне вторичного напряжения импульсных блоков питания с жесткими требованиями к уровню электромагнитных помех.
Целевые области применения устройства:
- высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный
- преобразователи постоянного тока,
- приводы электродвигателей, например, в аккумуляторных инструментах.
TPH1R204PB представляет собой устройство с каналом n-типа и максимальным сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) 1,2 мОм (при VGS = 10 В). Номинальный выходной заряд (QOSS) составляет 56 нКл. Устройство выпускается в корпусе SOP Advance размерами 5 мм x 6 мм x 0,95 мм.
Подрядчики-лидеры по количеству проектов
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
Распределение вендоров по количеству проектов внедрений (систем, проектов) с учётом партнёров
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
Распределение систем по количеству проектов, не включая партнерские решения
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)
![](/skins/ta/img/0.gif)