Как США шпионили за производством микросхем в СССР

История создания ЭВМ в СССР

Основная статья: История создания ЭВМ в СССР

Общегосударственная автоматизированная система (ОГАС) СССР

Основная статья: Общегосударственная автоматизированная система (ОГАС) СССР

ARPANET

Основная статья: ARPANET

Образцы с выставок

Эмблема ЦРУ США

В докладе ЦРУ отмечается, что в СССР действует активная программа по созданию интегральных схем, а линии по их выпуску работают, по меньшей мере, на трех заводах. Также американцы располагали неподтвержденными данными о подобных производственных линиях еще на шести предприятиях Союза и существовании еще двух дополнительных заводов, деятельность которых связана исключительно с производством интегральных микросхем.

С 1969 года СССР начали демонстрировать свои интегральные микросхемы на международных выставках, каждый год увеличивая число представленных моделей, повествуют авторы документа. С 1970 года на выставках также стали выставляться некоторые образцы используемого производственного оборудования.

«Некоторые наблюдатели интерпретируют эти выставки как показатель увеличивающегося уровня развития и потенциала СССР по выпуску интегральных схем. В то же время лабораторный анализ доступных образцов, проведенный в США, выявил, что их дизайн довольно примитивен, а качество – в основном низкое. Образцы явно уступают аналогам, производимым в США. Даже изделия выпуска 1971 года с заводской маркировкой, судя по всему, представляют собой прототипы», - отмечается в отчете ЦРУ.

Авторы документа добавляют, что ничего не известно о наличии серийно выпускаемого в СССР гражданского оборудования, в котором использовались бы интегральные схемы, и нет никаких признаков их использования в оборудовании военного назначения.

«Если СССР производят микросхемы в промышленных масштабах, то не ясно, где они собираются их использовать или используют. И если Союз создал масштабную и жизнеспособную индустрию микросхем, то озадачивает также его интерес к крупным закупкам оборудования и технологий у Запада для производства этих изделий», - рассуждают авторы доклада.

Базовые технологии: проблемы

По мнению ЦРУ, из-за того, что СССР слишком поздно получил планарную кремниевую технологию и из-за постоянных сложностей с производством исходного кремниевого материала в достаточном количестве, производство микросхем в Союзе все же началось совсем недавно и в очень небольших объемах^[1]

Справка: Транзистор КТ315 (на фото) считается долгожителем среди советских транзисторов. Первое опытное производство этой модели было запущено в 1967 году, а затем - серийный выпуск. В 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315. Новый транзистор стал перевенцем в своей серии - в нем впервые была применена планарно-эпитаскальная технология.

Технология интегральных микросхем произрастает из прогресса в развитии планарно-эпитаксиальной кремниевой технологии транзисторов: интегральные схемы производятся с использованием примерно того же оборудования и технологий, отмечают американские разведчики. Первый советский планарный транзистор, который США заполучили для анализа, был произведен в 1968 году, а первую линию по производству таких транзисторов «иностранные посетители» увидели в 1969 году на заводе «Светлана» в Ленинграде.

Американцы подсчитали, что в 1971 году в СССР планарные и планарно-эпитаксиальные транзисторы составляли всего 1/10 от общего числа типов транзисторов, доступных в советских каталогах. Для сравнения в докладе приводится тот факт, что уже в 1965 году в США производство электронных компонентов почти полностью основывалось на полупроводниках, был сделан существенный шаг в сторону производства кремниевых полупроводников и создана базовая технология и промышленная база для крупносерийного выпуска монолитных интегральных микросхем.Метавселенная ВДНХ 2.7 т

Относительно ранее упомянутых сложностей с производством исходного кремниевого материала для производства микросхем в СССР, в докладе, отмечается, что сам по себе кремний является очень распространенным веществом, однако требует сложной обработки с применением специального оборудования для того, чтобы стать пригодным для производства микросхем.

В докладе приводятся данные о том, что уже в 1968 году Союз предлагал обработанный кремний на продажу в Европу, однако, как выяснила американская разведка, компании, которые его закупали, жаловались на низкое качество этого материала.

«Экскурсии» на производство

В 1972 году ЦРУ США располагали информацией, что интегральные схемы в СССР производились на заводах в Брянске, Воронеже и на заводе «Светлана» в Ленинграде. Также они могут производиться на площадке в научно-исследовательском центре в Зеленограде, предполагала американская разведка. По данным ЦРУ, в разработке и производстве микросхем также участвуют заводы в Борисполе и Киеве, а также в Минске, Москве, Новосибирске и Риге.

Справка: В конце 1950-х годов в СССР были основаны заводы полупроводниковых приборов в Александрове, Брянске, Воронеже, Риге. На фото - здание Брянского завода полупроводниковых приборов (теперь называется «Группа Кремний ЭЛ»).

В 1961 году в СССР было принято постановление о развитии полупроводниковой промышленности, предусматривающее строительство заводов и НИИ в Киеве, Минске, Ереване, Нальчике и других городах.

Агент ЦРУ (его имя из доклада вырезано), побывавший на заводе в Брянске, исходя из количества операций, производимых за сутки при шестидневной рабочей неделе, оценил мощности производства микросхем с диод-транзисторной (ДТЛ) и транзисторно-транзисторной логикой (ТТЛ) на этой площадке примерно в 2,5-3 миллиона штук в год.

«По его словам, технологии производства отстают на 5-10 лет от используемых в США. На заводе широко используется западное оборудование. Некоторые изделия в финальной стадии тестирования, по-видимому, содержат товарный знак основного американского производителя интегральных микросхем, хотя у него (агента - прим. TAdviser) не было возможности исследовать эти образцы вблизи, чтобы подтвердить данное подозрение», - описываются в докладе результаты визита агента разведки на брянский завод.

Объемы производства на заводе в Ленинграде были оценены как существенно меньшие, нежели в Брянске. Тот же самый или другой агент американской разведки, посетивший завод «Светлана» в 1972 году, привел данные по выпуску менее чем 100 тыс. высокочастотных транзисторов в месяц и отметил, что на этом заводе также используется некоторое западное оборудование. В докладе также отмечается, что производительность выпускаемых на этом заводе изделий ниже заявленной СССР для этого типа интегральных микросхем три года назад.

По итогам посещения завода в Воронеже, в свою очередь, агент ЦРУ выдал данные по мощности производства примерно в 2-3 миллиона штук в год. Из доклада следует, что размеры выпускаемых здесь схем, по американским стандартам, слишком велики для обеспечиваемой ими функциональности.

Справка: По данным концерна «Созвездие», в 1965 году Воронежский завод полупроводниковых приборов создал первые в СССР микросхемы ДТЛ логики по твердотельной технологии с диэлектрической изоляцией компонентов (КСДИ) серии 104.

В период 1967–1973 годов при заводе было выполнено около 20 НИР и ОКР по созданию и внедрению в производство быстродействующих и маломощных интегральных схем малой и средней степени интеграции серий 106, 134, 128, 149, 177. Сюда входили схемы транзисторно-транзисторной логики, динамические логические схемы, линейные схемы и др.

В отличие от двух предыдущих заводов, на воронежском для производства микросхем использовалось советское оборудование. Агент отметил наличие на этой площадке большого количества диффузионных печей – порядка 80 штук, однако их них только около 20 на момент его визита реально использовалось. Установок проволочной термокомпрессионной сварки на заводе при этом оказалось немного. Агент предположил, что завод расширяется, просто еще не все оборудование прибыло.

Полученные данные свидетельствуют о том, что по состоянию на 1972 год СССР могли производить порядка 5-7 миллионов интегральных микросхем в год на трех производственных площадках, констатируют авторы отчета.

С учетом других действующих площадок общие объемы производства могут превышать 7 миллионов штук в год, допускают авторы документа, однако заключают, что, в любом случае, они недостаточны для покрытия потребностей внутреннего рынка. Для одной только реализуемой в те годы в СССР программы «Ряд» по серийному выпуску компьютеров американцы оценивали необходимый годовой объем микросхем примерно в 50 миллионов штук. Для сравнения – в 1971 году в США было произведено более 400 миллионов штук интегральных микросхем, приводит данные ЦРУ.

Импорт – двигатель прогресса

«Даже ограниченные возможности по выпуску интегральных схем, которые сейчас есть у СССР, в значительной степени являются результатом успеха Советов в приобретении критически важного оборудования из США, Западной Европы и Японии. В тоже время, неудача в приобретении ноу-хау, необходимых для развертывания, эксплуатации и поддержки этого оборудования, замедлила усилия по производству микросхем», - приходят к выводу авторы доклада.

В документе также отмечается, что СССР заинтересованы приобретать западное оборудование и технологии в очень больших объемах, включая целые производственные линии «под ключ», и потенциальные продажи в ближайшие несколько лет могут быть очень значительными.

До тех пор, пока СССР не станет импортировать необходимое оборудование в больших объемах, они продолжат отставать от США и от Запада в целом, резюмируют авторы доклада. По их предположениям, в ближайшие несколько лет Союз также не сможет обеспечить уровень производства микросхем, достаточный для того, чтобы покрыть существующие потребности в гражданском и оборонном секторах.

Смотрите также